半绝缘碳化硅与导电性碳化硅在电特性和应用领域上差异显著。半绝缘碳化硅，作为一种电阻率较高的材料，其电阻率范围通常在10^5-10^12Ω.cm，非常适用于高温、高电压环境，如电力电子设备和电动汽车部件。而导电性碳化硅，电阻率低，位于10^-3-10^-2Ω.cm之间，更适合低压、高电流场景，如功率半导体和射频电子器件。此外，由于成分和制备工艺的差异，导电性碳化硅的成本相对较高，而半绝缘碳化硅则因其电性能要求较低而成本更为亲民。因此，在选择材料时，需根据具体应用环境来决定：高温高压选半绝缘，低压高流选导电，以确保最佳性能和成本效益。半绝缘型碳化硅衬底的制备关键在于去除晶体中的杂质，特别是浅能级杂质，以实现高电阻率。在高温条件下，PVT法制备碳化硅衬底时，碳化硅粉料和石墨材料等会释放出杂质并生长进入晶体，影响晶体的纯度和电学性能。企业已将半绝缘型碳化硅衬底的电阻率稳定控制在108Ω·cm以上