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晶锭方阻电阻率测试仪
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更新时间:2025-02-18  |  阅读:497

详情介绍

专注于非接触式半导体计量分析技术的开发和生产 ,攻克被国外卡脖子技术。

产品广泛应用于半导体、光伏、科研以及平板材料测试领域。借助公司*计量分析测试技术,为晶圆、碳化硅、硅片、封装测试等生产和品质监控,提供一整套完整测试和解决方案。

晶圆电阻率测试仪,硅片电阻率测试仪,涡流法低电阻率分析仪,晶锭电阻率分析仪,迁移率(霍尔)测试仪,少子寿命测试仪,

一、

晶圆电阻率测试仪

硅片方阻测试仪

涡流法低电阻率分析仪

晶锭电阻率分析仪

样品尺寸:2"-8"或者16mm×16mm的方形样品;

迁移率测量范围:100-20000cm2/v.sec)

方块电阻测量范围:100-3000ohm/sq)

载流子面密度测量范围:1E11-1E14cm-2);

电磁铁磁场强度:1.0T

探头线圈直径:15mm



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