晶锭涡流法电阻率测试仪可以通过涡流测量高精度和分辨率为1毫米的方式来测量晶圆片或晶块的电阻率。由于距离相关的内部布局矩阵，涡流传感器有一个非常好的长期稳定性因此，每个电阻率图都是测量表面接地度的几何图。电阻率可与少数负载流子消耗和光电导率图同时测量。在进行电阻测量时，需要用户提供样品的厚度。

晶锭涡流法电阻率测试仪技术参数：

步径≥1mm

边缘：12mm

电阻率片厚：150-250μm

电阻率范围

默认设置：0.5-5 Ohm cm

准确度：<3%

重复性：<1%(范围从0.5-3 Ohm cm)

为了研究发射极扩散的均匀性，有可能出现较弱的发射极的方阻。基础的电阻率由用户给出。

方阻测量范围为0.1-200 Ohm/sq。

以标准样品量下的准确度，

0.1-10 Ohm/sq：<3%精度

10-100 Ohm/sq：<3%精度

100-200 Ohm/sq：<3%精度