少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数，对于半导体器件制造具有重要意义。
少子寿命指少子的平均生存时间，寿命标志少子浓度减少到原值的1/e所经历的时间。对太阳能电池来说，少子寿命越短，电池效率越低。
少子，即少数载流子，是半导体物理的概念。 它相对于多子而言。
半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数，导电中起到次要作用，则称它为少子。如：在N型半导体中，空穴是少数载流子，电子是多数载流子；在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。红外脉冲激光 激发半导体材料，通过 微波光电导衰减法 （ μ-PCD ）检测电导率变化，从而推算少子寿命。该方法利用红外激光产生非平衡载流子，微波探测器检测其发射/反射信号的指数衰减规律，通过拟合信号得出寿命值。
影响因素表面复合：样品表面状态直接影响测试结果，表面缺陷会加速载流子复合，降低有效少子寿命。
掺杂浓度：p型或n型掺杂会影响多数载流子浓度，间接影响少子寿命。
激光功率与波长：不同波长激光激发效率不同，功率过高可能破坏样品，需优化参数。 测试设备
少子寿命测试仪 支持4种激光波长（355nm-1480nm），可测量20ns至几十毫秒的寿命范围，测试硅晶圆片仅需5分钟。
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