半绝缘碳化硅的方阻、电阻率范围通常在10⁵—10¹²Ω·cm之间，具体数值取决于材料纯度、掺杂工艺及测量方法。以下是关键信息：电阻率范围标准范围：10⁵—10¹²Ω·cm（直径50.8—200mm、厚度250—5000μm的半绝缘碳化硅单晶片.随着第三代半导体碳化硅在5G通信、GaN HEMT器件等领域的广泛应用，行业对材料性能检测的统一性需求日益突出。该标准的制定解决了原有测试方法不统一的问题，为研发、生产及应用环节提供了规范化技术支撑.
SiC是继第一代以Si为代表的半导体材料和以砷化镓为代表的第二代半导体材料之后的第三代宽禁带半导体材料，由于自身的物理性能的优势，碳化硅作为衬底材料在物理条件下具有得天独厚的优势，特别在高温、高频、强磁场、抗辐射等方面显示出独特的优势。
高纯半绝缘SiC衬底在通信领域有大量应用，同时，高纯半绝缘SiC衬底作为GaN HEMT微波功率器件的关键衬底材料，具有重要的军事意义。随着5G时代到来，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料将迎来发展机遇。
高纯半绝缘SiC衬底电阻率的大小及分布的均匀性是影响器件质量的关键参数。因此，准确测量SiC衬底电阻率，对改进衬底制备工艺及器件电学性能具有重要的意义。研究高纯半绝缘SiC电阻率非接触测量方法，统一行业内测试标准，对SiC相关行业之间交流及发展具有重大推动作用。
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