少子寿命是半导体中少数载流子的平均生存时间，指非平衡少数载流子浓度减少到初始值的1/e所需的时间。该参数直接反映半导体材料质量和器件性能，在N型半导体中空穴为少子，P型半导体中电子为少子，其浓度主要由本征激发决定。少子寿命受复合机理影响，包括直接复合、间接复合、表面复合和Auger复合等。间接跃迁半导体（如硅、锗）的寿命由杂质和缺陷决定，直接跃迁半导体（如砷化镓）寿命普遍较短。通过控制复合中心浓度可调节少子寿命：去除杂质缺陷可延长寿命，掺入金、铂或电子辐照可缩短寿命。测试方法包括准稳态光电导（QSSPC）和瞬态模式，前者适用于低寿命样品，后者用于高寿命样品。少子寿命测试范围覆盖100纳秒至10毫秒，应用领域涵盖材料质量评估、器件分析及工艺监控，尤其在太阳能电池生产中用于优化光电转换效率。碳化硅材料中少子寿命与晶体缺陷浓度相关，通过掺杂可调节其寿命以提升功率器件性能。主要用于光伏、半导体行业，测试硅片、电池片等产品，